臺式原子層沉積鍍膜系統

該臺式原子層沉積鍍膜系統ALD擁有達到或超過市場上其他品牌的功能，同時易于使用和維護 - 成本低于當今市場上的價格

腔室溫度：室溫到325°C±1°C;

前軀體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C（帶加熱夾套）

市場上最小的占地面積（2.5 平方英尺），臺式 安裝和潔凈室兼容

簡單的系統維護和實用程序和 市場上的前體使用

流線型腔室設計和小腔室體積

快速循環能力

全硬件和軟硬件聯鎖，即使操作安全 在多用戶環境中

臺式原子層沉積鍍膜系統用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導電材料，例如Pt，Pd或Au。這些導電層有助于抑制電荷，減少局部光束加熱引起的熱損傷，并改善二次電子信號。

傳統上，這些薄膜是使用PVD技術生長的。隨著技術的進步，某些類型的樣品不能通過PVD提供，因為需要涂層的特征無法進入現場生長線。

研究人員將受益于ALD生長的導電薄膜，因為已經開發出針對小樣品導電金屬生長進行了優化的系統（與臺式濺射的價格點相同）

為保形導電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案，同時還提供目前使用濺射/蒸發生長的傳統 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限，而且是當前樣品制備過程的有效替代品，所有這些都在臺式配置中，價格相當。

熱ALD / PEALD

沉積工藝：
金屬：Ru、Ti、Co、…

氧化物：Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、，。。。

氮化物：TiN、TaN等，。。

基板尺寸：工件最大為6英寸

源注入：雙型噴頭

基板加熱器溫度：RT至最高350℃（@晶片）

前軀體化學源數量：3套

源瓶加熱：RT至150℃

射頻功率：600W@13.56Mhz

極限壓力：≤5.0×10-3乇

泵：干式泵或旋轉泵

沉積均勻度：≤±3%

系統控制：PC控制（UPRO軟件）

可選 源瓶加熱溫度200℃

尺寸（寬*長*高）850mm*720mm*600mm