反應離子刻蝕設備

反應離子刻蝕設備

RIE，全稱是Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕，是一種微電子干法腐蝕工藝。
RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時會產生數百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經加速的多數離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進行佳調整，同時，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力。
我司提供多型號的RIE刻蝕系統，滿足國內客戶研究和生產的需要。

反應離子刻蝕設備
深反應離子蝕刻系統(Deep Reactive Ion Etching System)
RE系列反應離子蝕刻系統帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統及水冷射頻壓盤，柜體為不銹鋼材質。反應腔體為13英寸鋁制、從頂端打開方便晶片裝載取出，最大可進行8英寸直徑樣品實驗，帶有兩個艙門：一個艙門帶有2英寸視窗，另一個艙門用于終點探測及其他診斷。腔體可達到10-6 Torr壓力或更高，自直流偏置連續監控、最大可達到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)。該反應離子蝕刻系統為*由計算機控制的全自動設備。
DRIE系列深反應離子蝕刻系統帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤，設備使用2kw 8英寸ICP源，使用500L/秒的渦輪泵，在10-3Torr壓力范圍運行。



RIE 設備參數:
鋁材腔體或不銹鋼腔體；
不銹鋼盒；
可以刻蝕硅化物(~400 ? /min)或金屬；
典型硅刻蝕速率 400 ? /min；
射頻源: 最大12"陽極化射頻平板(RF)；
真空度:大約20分鐘內達到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr；
雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕；
氣動升降蓋；
手動/全自動裝卸樣品；
預抽真空室；
電腦控制
選配ICp源和平臺的低溫冷卻實現深硅刻蝕。

反應離子蝕刻系統可選配：
1. 最高700W的高密度等離子源進行各向同性蝕刻(isotropic etching)；
2. ICP等離子源，2KW射頻電源及調諧器；
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling)；
4. 終點探測(End point detection) ；
5. 蘭繆爾探針；
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck)；
7. 附加MFC’s；
8. 1KW射頻電流源及調諧器；
9. 低頻電流源及調諧器；