反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備（美國產(chǎn)，高性價比）

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備(美國產(chǎn)，高性價比)

儀器簡介：
應(yīng)用：
-聚合物或光阻的等溫各向同性干刻
-硅片或玻璃表面清潔
-硅表面氧化去除

反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備(美國產(chǎn)，高性價比)技術(shù)參數(shù)：
配置，隨機附件、備品備件：
（1）6英寸水冷樣品臺
（2）200瓦射頻發(fā)生器和手動匹配器，watt RF Generator and manual matching network
(3) 雙數(shù)字讀取前端和反射功率 ，Dual digital readout of forward and reflected power
(4) 雙氣體控制，Dual gas controls
(5) 獨立的排空控制，Separate vent control
(6) 石英腔體，Quartz chamber
(7) 直流偏壓表顯示，DC bias meter display
(8) 數(shù)字時間計時器， Digital termination timer
(9) 射頻防護，RF shield
(10)  分子泵，Turbo pump
(11) 耐腐蝕羅茨機械泵，Corrosive series rotary vane roughing pump
(12) 電容壓力真空規(guī)，Capactiance manometer
(13) 不銹鋼氣體分樣環(huán)， Stainless steel gas distribution ring
(14)質(zhì)量流量計，Mass Flow Controller
（15）產(chǎn)品詳細(xì)的英文操作、維護指南1套

技術(shù)性能指標(biāo):
（1）真空: 真空可以達到10^-6 Torr,所用的渦輪分子泵轉(zhuǎn)速為70轉(zhuǎn)/秒。工作時氣壓可達10^-3 Torr以上。
（2）氣體輸送: 兩個通道,均采用不銹鋼材料,內(nèi)置氣體噴淋；
（3）系統(tǒng)排空: 獨立自鎖螺線管路,和氮氣口相連；
（4）射頻電源: 功率為0-200瓦，可任意調(diào)節(jié)；高頻電場頻率為13.56 MHz,手動調(diào)節(jié),空氣冷卻；
（5）刻蝕處理時間: 單次刻蝕時間可達到100小時, 可自行設(shè)定終止時間；
（6）刻蝕速率：對氧化物每分鐘20納米，對氮化物每分鐘50納米；各類材料刻蝕均勻性<±5% （4寸圓片，49點測量），刻蝕速率片間穩(wěn)定性<5%
（7）真空腔體: 石英材料, 外徑8英寸，高4英寸；
（8）真空表頭:前端屏幕數(shù)值顯示；
（9）氣體控制: 兩個獨立的針閥,具有安全自鎖功能；
（10）樣品臺: 可放置直徑6英寸以下的樣品，具有水冷功能